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Si823Hx / 825xx隔离式栅极驱动器值得了解

随着社会的快速发展,我们的隔离式栅极驱动器也在迅速发展,那么您知道隔离式栅极驱动器的详细分析吗?接下来,让编辑器带领您学习更多有关的知识。 SiliconLabs(也称为“ Silicon Technology”,NASDAQ:SLAB)是致力于构建更智能,更互联世界的芯片,软件和解决方案的领先供应商,最近推出了新型Si823Hx / 825xx隔离式栅极驱动器。
新产品具有更快,更安全的开关,低延迟和高噪声抑制功能,并且可以放置在靠近功率晶体管的位置,以实现紧凑的印刷电路板(PCB)设计。这些栅极驱动器的最新发展可以帮助功率转换器设计人员达到甚至超过不断提高的能效标准和尺寸限制,同时支持使用新兴技术,例如碳化硅(SiC),氮化镓(GaN)和快速SiFET。
在电力电子技术(例如驱动技术)中,IGBT通常用作高压和大电流开关。这些功率晶体管受电压控制,其主要损耗发生在开关期间。
为了最小化开关损耗,需要短的开关时间。 SiliconLabs的副总裁兼功率产品总经理Brian Mirkin表示:“汽车,工业和可再生能源市场的功率转换器设计人员正在通过新兴的能效标准和新技术选择来管理动态环境,同时满足持续的需求为了安全和动力。
要求。我们新的隔离式栅极驱动器提供了电源工程师满足并超过行业要求所需的高性能,包括扩展的输入电压范围,更低的延迟,更高的抗扰性和快速的开关功能。
,快速切换还意味着存在高压瞬变的危险,这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此,为IGBT提供合适的栅极信号的栅极驱动器还具有提供短路保护和影响开关速度的功能。
SiliconLabs'隔离式栅极驱动器技术可用于多种电源应用,包括数据中心电源,太阳能微逆变器,面向汽车市场的牵引逆变器以及工业电源。在电力电子设备中,出于功能和安全考虑,需要隔离。
因为使用了栅极驱动器(例如,在驱动技术中使用了半桥拓扑),所以它将与高总线电压和电流接触,并且不可避免地要进行隔离。 Si823Hx / 825xx系列产品的差异化功能经过特殊配置,可满足在充满挑战的电源环境中工作的设计人员的需求。
SiliconLabs系列产品提供了独特的升压器件,可以提供更高的源电流并实现更快的FET接通速度。对称的4A吸收/源电流能力意味着源电流几乎是上一代驱动器电流的两倍,这有助于减少开关损耗。
新的隔离式栅极驱动器将延迟减半,最大传播延迟为30ns,这减少了反馈环路延迟并可以实现更高的系统效率。这些驱动器还具有改进的瞬态噪声抑制功能,以确保在固有噪声环境中的可靠运行。
输入电压范围(VDDIH)也已从4.5V扩展到20V,支持与典型模拟控制器的电源轨直接接口。以上是隔离式栅极驱动器相关知识的详细分析。
每个人都必须继续在实践中积累经验,以便设计出更好的产品并为我们的社会更好地发展。

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