什么是200 V氮化镓产品系列（eGaN＆reg; FET）？新一代200 V氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）是48 VOUT同步整流器，D类音频放大器，太阳能微型逆变器和功率优化器，是用于多电平，高电压AC / DC转换器的理想功率器件。 EPC最近推出了两款200 V eGaN FET（EPC2215和EPC2207），这是增强型硅上氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领导者，同时具有更高的性能和成本。
较低，目前可用。这些领先的GaN器件的应用非常广泛，包括D类音频放大器，同步整流器，太阳能最大功率点跟踪器（MPPT），DC / DC转换器（硬开关和谐振）以及多电平高压转换器件。
EPC2215（8mΩ，162脉冲）和EPC2207（22mΩ，54脉冲）的尺寸比上一代200 V eGaN器件小约50％，而性能却提高了一倍。与基准硅器件相比，这两个GaN器件具有更高的性能。
EPC2215的导通电阻降低了33％，但尺寸却减小了15倍。它的栅极电荷（QG）比参考硅MOSFET器件小十倍，并且像所有eGaN FET一样，没有反向恢复电荷（QRR），因此D类音频放大器可以实现更低的失真并实现更高效率的同步整流器和电机驱动器。
基准硅200 V FET与200 V eGaN FET的性能比较EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow表示：“最新一代的eGaN FET以更小的尺寸实现了更高的性能，并且散热效率更高，其成本是与传统MOSFET器件相似。氮化镓器件将不可避免地取代老化的功率MOSFET器件。
趋势变得越来越明显。” EPC公司和德克萨斯大学奥斯汀分校的半导体功率电子中心（SPEC）基于eGaN FET，四级飞电容（FCML）图腾柱无桥整流器开发了400 V，2.5 kW的数据中心，它使用最新的200 V氮化镓场效应晶体管（EPC2215）。
德克萨斯大学奥斯汀分校的Alex Huang教授说：“氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的优越特性使转换器能够实现高功率密度，超高效率和低谐波失真。”以上是200 V GaN产品系列（eGaN＆reg; FET）的分析，希望对您有所帮助。
较低，目前可用。这些领先的GaN器件的应用非常广泛，包括D类音频放大器，同步整流器，太阳能最大功率点跟踪器（MPPT），DC / DC转换器（硬开关和谐振）以及多电平高压转换器件。
EPC2215（8mΩ，162脉冲）和EPC2207（22mΩ，54脉冲）的尺寸比上一代200 V eGaN器件小约50％，而性能却提高了一倍。与基准硅器件相比，这两个GaN器件具有更高的性能。
EPC2215的导通电阻降低了33％，但尺寸却减小了15倍。它的栅极电荷（QG）比参考硅MOSFET器件小十倍，并且像所有eGaN FET一样，没有反向恢复电荷（QRR），因此D类音频放大器可以实现更低的失真并实现更高效率的同步整流器和电机驱动器。
基准硅200 V FET与200 V eGaN FET的性能比较EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow表示：“最新一代的eGaN FET以更小的尺寸实现了更高的性能，并且散热效率更高，其成本是与传统MOSFET器件相似。氮化镓器件将不可避免地取代老化的功率MOSFET器件。
趋势变得越来越明显。” EPC公司和德克萨斯大学奥斯汀分校的半导体功率电子中心（SPEC）基于eGaN FET，四级飞电容（FCML）图腾柱无桥整流器开发了400 V，2.5 kW的数据中心，它使用最新的200 V氮化镓场效应晶体管（EPC2215）。
德克萨斯大学奥斯汀分校的Alex Huang教授说：“氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的优越特性使转换器能够实现高功率密度，超高效率和低谐波失真。”以上是200 V GaN产品系列（eGaN＆reg; FET）的分析，希望对您有所帮助。