FinFET（鳍式场效应晶体管）是当今铸造领域的核心技术，台积电甚至计划在3nm时代一直使用它。
但是，未知的是，三星在过去四年中一直深陷FinFET专利侵权案件中，并且直到最近才得出结论。
诉讼的原告是韩国科学技术学院（KAIST），该学院于2001年在美国和韩国申请了FinFET技术相关专利，该专利由韩国科学技术学院和李钟教授共同开发。
-首尔大学2016年11月29日，韩国科学技术院针对美国德克萨斯州的三星，高通和GlobalFounderies提起了FinFET专利侵权诉讼。
据说英特尔已经向英特尔支付了相关的“保护费”。
乖乖地在2018年6月和2019年2月，KAIST两次起诉三星，声称后者生产的7nm，8nm，10nm，11nm和14nm手机应用处理器都涉及侵权，并要求赔偿4亿美元。
今年2月，法院下令三星赔偿2亿美元。
目前，该案已经解决，和解细节尚不清楚。
-END-资料来源：快速技术
