防辐射的64 Mbit（Mbit）并行接口SuperFlash闪存设备

为了减少开发航天器系统的时间，成本和风险，设计人员可以在初始阶段使用现成的商用（COTS），然后将其替换为具有相同销钉分布和塑料的航空航天级等效辐射电阻或陶瓷包装设备。 Microchip Technology Inc.今天宣布推出具有出色的总电离剂量（TID）耐受性的抗辐射64 Mbit（Mbit）并行接口SuperFlash闪存器件，可在恶劣的空间辐射环境中使用，从而实现最大的可靠性和耐用性。
该新产品是用于航空航天系统的Microchip的单片机（MCU），微处理器（MPU）和现场可编程门阵列（FPGA）的理想配件，为这种可扩展的开发模型提供了构建模块。 Microchip航空航天与国防业务部门副总裁Bob Vampola表示：“在使用我们的抗辐射或抗辐射微处理器和FPGA开发整个航空航天系统解决方案的过程中，SST38LF6401RTSuperFlash产品进一步增强了可扩展性。
航空航天系统需要支持的闪存用于存储驱动整个系统的关键软件代码或比特流，并且数字处理的可靠性非常高。新产品为此过程提供了关键的保护。
“即使在闪存仍然通电且仍在运行的情况下，SST38LF6401RT器件的辐射容忍度也高达50千拉德（Krad）TID，这使系统能够在各种空间应用中运行。在这些应用程序中，系统不能容忍任何代码执行错误，否则可能会导致严重的缺陷和系统崩溃。
该新产品是基于SAMRH71ArmCortex-M7的Microchip防辐射SoC处理器的理想配件。它也可以与RTPolarFireFPGA结合使用，以支持航天器系统的重新配置。
新产品具有与工业版本兼容的引脚布局，因此可以很容易地用印刷电路板（PCB）上的航空级塑料或陶瓷封装版本替换它。 SST38LF6401RT的工作电压范围为3.0到3.6伏（V）。
开发工具和提供的SST38LF6401RTSuperFlash器件现已提供陶瓷封装样品，并可应要求提供评估板和演示软件。此外，还可应要求提供FPGA飞行编程参考案例，以演示如何通过支持软件将SuperFlash器件与FPGA和SAMRH71处理器集成在一起。
Microchip从COTS到耐辐射产品的过程通过改进其成熟可靠的汽车或行业标准产品系列中相关器件的硅工艺，Microchip可以为这些器件提供增强的保护，使其免受重离子环境中单颗粒闩锁的影响。锁定影响。
通过为每个功能块提供专用的辐射报告，可以对这些设备的辐射性能进行细微的修改，从而充分表征其性能。这些设备广泛用于各种应用，例如运载火箭，卫星网络和空间站。
设计人员可以使用易于访问的COTS设备开始系统部署，然后将其替换为引脚兼容的航空级设备，这些设备采用高度可靠的塑料或陶瓷封装进行包装。