[编者注] 2021年中国IC广告牌“年度最佳技术突破奖”获得了现在开始征求意见！入围标准从技术产品的主要性能和指标（20％），技术突破和创新（30％），应用市场（20％）和销售（ 30％）。此次评选将由中国半导体投资联盟的129个成员单位和400多位半导体行业的首席执行官共同选拔。
颁奖结果将在2021年1月的中国半导体投资联盟年会和中国IC广告牌颁奖典礼上宣布。 “ San＆＃39; an Integration”）。
随着5G，物联网和其他市场的兴起，化合物半导体也迎来了新的市场。三安集成由三安光电成立，2014年5月投资30亿元，主要从事化合物半导体微波集成电路，光学技术芯片和电力电子元器件的研发，制造和服务。
通过将化合物半导体制造平台从LED外延晶片和芯片扩展到射频，光学技术和电力电子领域，三安光电具有其固有优势。三安光电拥有20多年的化合物半导体制造经验，在大规模外延生长方面具有管理经验和优势。
根据对III-V化合物材料的了解，可以将砷化镓和氮化镓等LED芯片的主要材料和工艺迅速扩展到微波射频集成电路（MMIC）的代工制造和光通信芯片的制造领域，并成功进入国内领先企业的供应链。作为三安光电的全资子公司，三安集成是中国首家6英寸化合物半导体晶圆代工厂。
也是Sanan Integration将Sanan Optoelectronics带入了新的第二轨道。三安集成预测第三代半导体材料特别是碳化硅的市场潜力，并将于2020年7月在湖南长沙部署第三代半导体业务，总投资160亿元，总面积1000英亩。
主要结构具有独立知识。产权衬底（碳化硅），外延，芯片和封装行业的生产基地。
项目建成投产后，将形成一个超百亿元的产业规模，带动上下游配套产业产值超千亿元。结果，已经建立了跨越材料和市场的大规模化合物半导体制造平台。
目前，三安集成已通过ISO9001国际质量管理体系认证和IATF16949汽车行业质量管理体系认证，并积极参与国际行业标准的制定。它是JEDECJC-70宽带隙功率半导体标准委员会的成员。
在迎接新机遇的同时，三安整合还积极打磨自己的技术并筑起一条护城河。截至目前，三安的集成专利和核心技术主要集中在制造工艺层面，拥有近百项授权专利，涉及外延生长和芯片制造。
2020年，三安集成在多个技术领域也取得了突破。在RF（射频）领域，三安已开发出H20HG6砷化镓HBT工艺技术。
该技术可以应用于3G / 4G，Sub-6G，WLAN功率放大器设备，并且已经成功地应用于手持通信终端的功率放大器设备。同时，在2020年第四季度，双工滤波器的发货量超过了10kk。
在光学技术领域，三安集成公司还于今年推出了25GCWDMDFB芯片系列，该芯片系列在外延结构，制造等重要技术环节中进行了特殊设计。 25GDFB在高温条件下具有更好的可靠性，并具有高带宽特性，三安集成已成为全球为数不多的可提供100G / 200GLR4 25GDFB应用的供应商之一。
在电力电子领域，Sanan的集成式碳化硅MPS肖特基二极管全系列650V和1200V产品采用混合PiN肖特基二极管（MPS）设计，可以提供更好的可靠性和鲁棒性；它将在今年12月完成。建立碳化硅MOSFET大规模生产平台，