今天，编辑器将在本文中为您带来有关MPS MPQ20073存储器端子调节器的相关报告。通过阅读本文，您可以对其有一个清晰的了解。
主要内容如下。 1. MPQ20073存储器端子稳压器概述MPQ20073集成了DDR存储器端子稳压器，其输出电压（VTT）和缓冲的VTTREF输出为VREF的一半。
VTT-LDO是2A灌/拉电流跟踪系统终端稳压器。它是专为低成本/少量外部组件系统而设计的，这些系统对空间利用率有很高的要求。
MPQ20073只需要20µF（2x10µF）陶瓷输出电容器即可保持快速的瞬态响应。 MPQ20073支持开尔文采样功能。
MPQ20073采用带散热垫的8引脚MSOP封装。 2.输入电容取决于从电源到设备的走线阻抗。
电源电流的瞬态增加主要由VDDQ输入电容器的电荷提供。使用10μF（或更大）的陶瓷电容器来提供此瞬态电荷。
由于VTT使用更多的输出电容，请提供更多的输入电容。通常，使用1/2 COUT作为输入。
3.输出电容为了稳定运行，VTT输出端子的总电容可以等于或大于20μF。并联连接两个10μF陶瓷电容器，以最大程度地减小ESR和ESL的影响。
如果ESR大于10mΩ，则在输出和VTTSEN输入之间插入一个R-C滤波器，以实现环路稳定性。 R-C滤波器的时间常数应几乎等于或略低于输出电容器及其ESR的时间常数。
4. VDRV电容器在VDRV引脚附近，在1.0μF至4.7μF之间放置一个陶瓷电容器，以稳定3.3V电压并使之不受电源的任何寄生阻抗的影响。 5.散热设计由于MPQ20073是线性稳压器，因此VTT电流在源极和吸收极两个方向上的流动都会产生器件的功耗。
在源极阶段，VDDQ和VTT之间的电势差乘以VTT电流即为功耗Psource =（VDDQ-VTT）x Isource在这种情况下，如果VDDQ连接到低于VDDQ电压的备用电源，则功率减少损失。对于电流吸收阶段，将VTT电压施加到内部LDO稳压器，功耗Psink为：Psink = VTT x Isink。
该设备不会同时吸收和吸收电流，并且吸收/吸收电流会随着时间快速变化。热设计要考虑的实际功耗是上述值随时间的平均值。
另一个功耗是VDDQ电源用于内部控制电路的电流。该功率需要有效地从封装中消散。
第六，PCB布局准则良好的PCB布局设计对于确保DDR电源控制器的高性能和稳定运行至关重要。在准备PCB布局时，必须考虑以下事项：1.所有大电流走线必须保持尽可能短和宽，以减少功率损耗。
高电流走线是从输入电压端子到VDDQ引脚的走线，从VTT输出端子到负载的走线，从输入接地端子到VTT输出地端子的走线以及从VTT输出接地的走线。端子连接到电源引脚。
痕迹。 GND引脚。
通过将相同的高电流走线穿过其他层中的同一路径并将它们与多个过孔连接，可以改善大电流走线的功率处理和泄漏电流。 2.为了确保设备的正常运行，应根据应用电路的不同功能使用单独的接地连接。
VTT输出电容器的接地应先通过短走线连接到GND引脚，然后再连接到GND的接地层。输入电容接地，VTT输出电容接地，并且VDDQ去耦电容接地应连接到GND平面。
3. 8引脚MSOP封装的散热垫应连接到GND，以提高散热性能。建议使用带1盎司或2盎司铜箔的PCB。
4.应使用单独的传感走线将VTT调节点（通常是负载的本地旁路电容器）连接到VTTSEN引脚。 5.应使用单独的传感走线将VREF调节点连接至VTTREF引脚，以确保VTT参考电压的准确性。
6.如果将VDDQ用作VTT的源电源，则VDDQ应该通过宽走线和短走线连接到VREF输入。如果将外部电压源用作VTT的电源，则应在VDDQ引脚附近添加至少10μF的输入电容器，并旁路至GND。
以上所有内容都是小编兄弟关于MPQ20073存储终端稳压器的全部介绍。
主要内容如下。 1. MPQ20073存储器端子稳压器概述MPQ20073集成了DDR存储器端子稳压器，其输出电压（VTT）和缓冲的VTTREF输出为VREF的一半。
VTT-LDO是2A灌/拉电流跟踪系统终端稳压器。它是专为低成本/少量外部组件系统而设计的，这些系统对空间利用率有很高的要求。
MPQ20073只需要20µF（2x10µF）陶瓷输出电容器即可保持快速的瞬态响应。 MPQ20073支持开尔文采样功能。
MPQ20073采用带散热垫的8引脚MSOP封装。 2.输入电容取决于从电源到设备的走线阻抗。
电源电流的瞬态增加主要由VDDQ输入电容器的电荷提供。使用10μF（或更大）的陶瓷电容器来提供此瞬态电荷。
由于VTT使用更多的输出电容，请提供更多的输入电容。通常，使用1/2 COUT作为输入。
3.输出电容为了稳定运行，VTT输出端子的总电容可以等于或大于20μF。并联连接两个10μF陶瓷电容器，以最大程度地减小ESR和ESL的影响。
如果ESR大于10mΩ，则在输出和VTTSEN输入之间插入一个R-C滤波器，以实现环路稳定性。 R-C滤波器的时间常数应几乎等于或略低于输出电容器及其ESR的时间常数。
4. VDRV电容器在VDRV引脚附近，在1.0μF至4.7μF之间放置一个陶瓷电容器，以稳定3.3V电压并使之不受电源的任何寄生阻抗的影响。 5.散热设计由于MPQ20073是线性稳压器，因此VTT电流在源极和吸收极两个方向上的流动都会产生器件的功耗。
在源极阶段，VDDQ和VTT之间的电势差乘以VTT电流即为功耗Psource =（VDDQ-VTT）x Isource在这种情况下，如果VDDQ连接到低于VDDQ电压的备用电源，则功率减少损失。对于电流吸收阶段，将VTT电压施加到内部LDO稳压器，功耗Psink为：Psink = VTT x Isink。
该设备不会同时吸收和吸收电流，并且吸收/吸收电流会随着时间快速变化。热设计要考虑的实际功耗是上述值随时间的平均值。
另一个功耗是VDDQ电源用于内部控制电路的电流。该功率需要有效地从封装中消散。
第六，PCB布局准则良好的PCB布局设计对于确保DDR电源控制器的高性能和稳定运行至关重要。在准备PCB布局时，必须考虑以下事项：1.所有大电流走线必须保持尽可能短和宽，以减少功率损耗。
高电流走线是从输入电压端子到VDDQ引脚的走线，从VTT输出端子到负载的走线，从输入接地端子到VTT输出地端子的走线以及从VTT输出接地的走线。端子连接到电源引脚。
痕迹。 GND引脚。
通过将相同的高电流走线穿过其他层中的同一路径并将它们与多个过孔连接，可以改善大电流走线的功率处理和泄漏电流。 2.为了确保设备的正常运行，应根据应用电路的不同功能使用单独的接地连接。
VTT输出电容器的接地应先通过短走线连接到GND引脚，然后再连接到GND的接地层。输入电容接地，VTT输出电容接地，并且VDDQ去耦电容接地应连接到GND平面。
3. 8引脚MSOP封装的散热垫应连接到GND，以提高散热性能。建议使用带1盎司或2盎司铜箔的PCB。
4.应使用单独的传感走线将VTT调节点（通常是负载的本地旁路电容器）连接到VTTSEN引脚。 5.应使用单独的传感走线将VREF调节点连接至VTTREF引脚，以确保VTT参考电压的准确性。
6.如果将VDDQ用作VTT的源电源，则VDDQ应该通过宽走线和短走线连接到VREF输入。如果将外部电压源用作VTT的电源，则应在VDDQ引脚附近添加至少10μF的输入电容器，并旁路至GND。
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